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Si4943CDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.04
I D = 8 .3 A
0.03
10
0.02
T J = 125 °C
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.01
0
T J = 25 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0
4
8
12
16
20
2.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.3
8 0
2.1
I D = 250 μ A
60
1.9
40
1.7
1.5
1.3
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
Limited
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69985
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
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